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国内厂商氧化镓技术布局再传新进展
近期，进化半导体（深圳）有限公司的氧化镓技术布局取得阶段性进展，该公司制备的氧化镓厚膜同质外延片厚度为40μm，使用自产氧化镓衬底，取自进化半导体独特的“无铱工艺”氧化镓晶体，晶片尺寸为2英寸，晶面为(100)偏6度，使用自主开发的科研级HVPE外延设备，支持2~4英寸衬底。
2025-10-10
2025-10-10
国内厂商氧化镓技术布局再传新进展
近期，进化半导体（深圳）有限公司的氧化镓技术布局取得阶段性进展，该公司制备的氧化镓厚膜同质外延片厚度为40μm，使用自产氧化镓衬底，取自进化半导体独特的“无铱工艺”氧化镓晶体，晶片尺寸为2英寸，晶面为(100)偏6度，使用自主开发的科研级HVPE外延设备，支持2~4英寸衬底。
2025-09-17
半导体光刻机风起云涌：大厂加单，俄罗斯发力
在半导体产业里，光刻机作为上游设备领域的代表性产品，对产业发展起着决定性作用，是推动芯片制程进步、引领行业发展的关键力量。近期，半导体光刻机领域动作不断，英特尔和三星等大厂提高了光刻机订单量；与此同时，俄罗斯公布了光刻机研发路线图，旨在推动本土芯片产业发展。
2025-08-13
欧盟全体成员国加入半导体联盟，助力芯片法 2.0
近日，荷兰政府宣布所有欧盟27个成员国已正式加入由荷兰牵头的“半导体联盟”（Semicon Coalition）。该联盟最初于今年3月由荷兰及另外8个成员国（德国、法国、比利时、芬兰、意大利、奥地利、波兰与西班牙）成立，旨在提升欧洲半导体产业的竞争力与自给能力。
2025-07-09
国际光学盛会倒计时！雷博微电子邀您共聚成都，解锁前沿技术
AOMATT 2025，诚邀您的到来！
2025-06-20
中国科学院上海光机所推出超高并行光计算芯片“流星一号”，突破计算密度瓶颈
中国科学院上海光机所近日宣布，成功研制出超高并行光计算集成芯片“流星一号”，这一突破性成果为光计算领域的计算密度瓶颈提供了新的解决方案。光计算利用光子作为信息载体，具备低功耗、低时延和高并行处理能力，成为后摩尔时代新型算力基础设施的重要组成部分，尤其在人工智能、科学计算和大规模数据交换等领域展现出巨大潜力。
2025-06-20
谷歌转向台积电生产Tensor G5芯片
在即将推出的Pixel 10系列中，谷歌决定首次采用台积电生产的Tensor G5芯片，而非以往由三星代工的做法。 这一转变引发了三星的强烈反应，根据最新消息，三星的Device Solutions事业部近期召开了全球战略会议，重点讨论如何提升其晶圆代工能力，以应对谷歌的转投。
2025-06-20
雷博微电子甲酸回流助力先进封装
在半导体封装中，铜柱凸点表面电镀的锡银合金层需通过回流形成半球状锡帽，传统回流工艺易导致锡帽氧化，助焊剂工艺则存在残留风险。而我司推出的甲酸回流技术，利用甲酸的还原性与润湿性，在氮气氛围中实现无助焊剂、免清洗的高温回流，解决了传统工艺的痛点。
2025-05-27
欧盟《芯片法案2.0》战略升级！
近期，媒体报道欧洲立法者和行业团体正在推动“欧盟芯片法案2.0”，旨在进一步加强欧洲#半导体发展。对此，业界指出，2022年欧盟正式制定芯片方案，但目前来看该地区半导体发展较难达成既定目标，需要做出一系列改变与升级。
2025-05-27
三箭齐发！雷博微电子再创高端前道Track设备交付新纪录
【重磅捷报】雷博微电子三台高端前道Track设备同日发运，领航半导体智造新篇章。
2025-04-29
“六边形战士”报到，中国科研团队研制出超高速闪存
复旦大学在集成电路领域获关键突破！该校周鹏-刘春森团队通过构建准二维泊松模型在理论上，预测了超注入现象，打破了现有存储速度的理论极限研制“破晓（PoX）”皮秒闪存器件。其擦写速度可提升至亚1纳秒。400皮秒相当于每秒可执行25亿次操作，是迄今为止世界上最快的半导体电荷存储技术。
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