公司新闻
近期,进化半导体(深圳)有限公司的氧化镓技术布局取得阶段性进展,该公司制备的氧化镓厚膜同质外延片厚度为40μm,使用自产氧化镓衬底,取自进化半导体独特的“无铱工艺”氧化镓晶体,晶片尺寸为2英寸,晶面为(100)偏6度,使用自主开发的科研级HVPE外延设备,支持2~4英寸衬底。
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