公司新闻-江苏雷博微电子设备有限公司

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近期，进化半导体（深圳）有限公司的氧化镓技术布局取得阶段性进展，该公司制备的氧化镓厚膜同质外延片厚度为40μm，使用自产氧化镓衬底，取自进化半导体独特的“无铱工艺”氧化镓晶体，晶片尺寸为2英寸，晶面为(100)偏6度，使用自主开发的科研级HVPE外延设备，支持2~4英寸衬底。

2025-10-10